Samsung anuncia 10nm-Class 32GB DDR4 SoDIMMs

Samsung Electronics, el líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado a producir en masa la primera memoria de 32 gigabytes (GB) de doble velocidad de datos 4 (DDR4) de la industria para portátiles de juegos en el formato ampliamente utilizado de pequeños módulos de memoria dual en línea (SoDIMMs). Los nuevos SoDIMM se basan en una tecnología de proceso de 10 nanómetros (nm) que permitirá a los usuarios disfrutar de juegos de ordenador enriquecidos para PC sobre la marcha, con una capacidad significativamente mayor, velocidades más altas y un menor consumo de energía.

Gracias a la nueva solución de memoria, los fabricantes de PCs pueden construir portátiles más rápidos de gama alta orientados a los juegos con una mayor duración de la batería a capacidades superiores a las de las estaciones de trabajo móviles convencionales, manteniendo al mismo tiempo las configuraciones de PCs existentes.

“Los módulos DDR4 DRAM de 32 GB de Samsung ofrecerán experiencias de juego en portátiles más potentes y envolventes que nunca”, dijo Sewon Chun, vicepresidente senior de marketing de memoria de Samsung Electronics. “Seguiremos ofreciendo las carteras de DRAM más avanzadas con mayor velocidad y capacidad para todos los segmentos clave del mercado, incluidos los ordenadores portátiles y de sobremesa de gama alta”.

 

 

En comparación con el SoDIMM de 16 GB de Samsung basado en DDR4 de 8 gigabits (Gb) de clase 20nm, que se presentó en 2014, el nuevo módulo de 32 GB duplica la capacidad al tiempo que es un 11 por ciento más rápido y aproximadamente un 39 por ciento más eficiente desde el punto de vista energético.

Con un total de 16 de los últimos chips DRAM DDR4 de 16 gigabits (Gb) de Samsung (ocho chips cada uno montado en la parte delantera y trasera), el SoDIMM de 32GB permite que los portátiles para juegos alcancen velocidades de hasta 2.666 megabits por segundo (Mbps).

Un portátil de 64 GB configurado con dos módulos DDR4 de 32 GB consume menos de 4,6 vatios (W) en modo activo y menos de 1,4W cuando está inactivo. Esto reduce el consumo de energía en aproximadamente un 39 por ciento y más del 25 por ciento, respectivamente, en comparación con los portátiles líderes de hoy en día orientados a los juegos, que están equipados con módulos de 16 GB.

Samsung ha comenzado a ampliar agresivamente su oferta de la mayor gama de DRAMs de 10 nm de la industria (16 Gb LPDDR4, 16 Gb GDDR5 y 16 Gb DDR4), lo que marcará el comienzo de una nueva era de DRAM de 16 Gb en los segmentos de móviles, gráficos, PC y servidores, y posteriormente en otros mercados como el de los superordenadores y los sistemas de automoción.

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